エレクトロニクスデバイス、サーキット、ダイオード、トランジスタ、ジャンクションが簡単に説明されています
* Semiconductor Deviceである電子回路は、優れた導体でも良好な絶縁体でもない材料で構成されています。
* Semiconductor Deviceは、シリコン、ゲルマニウム、アルセニドガリウムなど、有機半導体など、半導体材料の電子特性を活用する電子コンポーネントに他なりません。
重要な用語
o半導体
oダイオード
oトランジスタ
o双極接合トランジスタ
oベース
oコレクター
oエミッター
o統合回路
この便利なアプリには、詳細なメモ、図、方程式、式、コースの資料が記載された160のトピックがリストされています。トピックは5つの章にリストされています。アプリは、すべてのエンジニアリングサイエンスの学生と専門家に必要なものです。
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アプリで説明されているトピックのいくつかは次のとおりです。
1。ヘインズ・ショックリーの実験
2。半導体材料
3。クリスタル格子
4。立方格子
5。飛行機と方向
6。ダイヤモンド格子
7。バルククリスタルの成長
8。単結晶インゴットの成長
9。ウェーハ
10。エピタキシャルの成長
11。気相エピタキシー
12。分子ビームエピタキシー
13。半導体の電荷キャリア
14.有効質量
15。内因性材料
16。外因性材料
17。量子井戸の電子と穴
18。フェルミレベル
19。報酬と空間料金の中立性
20。ドリフトと抵抗
21。光吸収
22。フォトルミネッセンス
23。エレクトロルミネッセンス
24。キャリアの寿命と光伝導性
25。電子と穴の直接再結合
26。間接組換え。トラッピング
27。定常国家の発電。準フェミレベル
28。光伝導装置
29。拡散プロセス
30。キャリアの拡散とドリフト：ビルトインフィールド
31。拡散と組換え。連続性方程式
32。定常状態のキャリア注入：拡散長
33。準フェミレベルの勾配
34。キャリア濃度の温度依存性
35。モビリティに対する温度とドーピングの影響
36。高磁場効果
37。ホール効果
38。PN接合部の製造：熱酸化
39。PN接合部の拡散
40。迅速な熱処理
41。イオン着床
42。化学蒸気堆積（CVD）
43。フォトリソグラフィ
44。エッチング
45。金属化
46。平衡状態
47。平衡フェルミレベル
48。ジャンクションでのスペースチャージ
49。前方および逆バイアスジャンクション
50。キャリア注入
51。逆バイアス
52。逆バイアスの分解
53。ツェナーの内訳
54。雪崩の内訳
55。整流器
56。ブレークダウンダイオード
57。過渡およびAC条件
58。逆回復の過渡
59。理想的なダイオードモデル
60。キャリア注入に対する接触電位の影響
61。ダイオードの切り替え
62。PN接合部の静電容量
63。遷移領域の組換えと生成
64。Ohmic損失
65。段階的なジャンクション
66。金属半導体ジャンクション：Schottky Barriers
67。現在の輸送プロセス
68。熱排出理論
69。拡散理論
70。熱性排出拡散理論
71。連絡先の修正
72。トンネリング電流
73。マイノリティキャリア注射
74。ミストンネルダイオード
75。バリアの高さの測定
76。活性化エネルギー測定
77。光電測定
78。Ohmic連絡先
各トピックには、より良い学習と迅速な理解のために、図、方程式、その他の形式のグラフィカル表現が完備されています。
半導体デバイスは、さまざまな大学の工学教育コースと技術学位プログラムの一部です。
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