전자 장치, 회로, 다이오드, 트랜지스터 및 접점 설명
* Semiconductor Device , 전자 회로는 좋은 도체 나 좋은 절연체가 아닌 재료로 구성됩니다.
* Semiconductor Device S는 실리콘, 게르마늄 및 갈륨 비소와 같은 반도체 재료의 전자 특성을 이용하는 전자 성분 일뿐만 아니라 유기 반도체입니다.
핵심 용어
o 반도체
o 다이오드
o 트랜지스터
o 바이폴라 정션 트랜지스터
O베이스
o 수집가
o 이미 터
o 통합 회로
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앱에서 다루는 주제 중 일부는 다음과 같습니다.
1. Haynes-Shockley 실험
2. 반도체 재료
3. 크리스탈 격자
4. 입방 격자
5. 비행기와 방향
6. 다이아몬드 격자
7. 벌크 결정 성장
8. 단결정 잉곳의 성장
9. 웨이퍼
10. 에피 택셜 성장
11. 증기 상 에피 택시
12. 분자 빔 에피 택시
13. 반도체의 충전 담당자
14. 효과적인 질량
15. 고유 물질
16. 외부 물질
17. 양자 우물의 전자와 구멍
18. 페르미 레벨
19. 보상 및 공간 전하 중립
20. 드리프트와 저항
21. 광학 흡수
22. 광 발광
23. 전기 발광
24. 캐리어 수명 및 광 전도성
25. 전자와 구멍의 직접 재조합
26. 간접 재조합; 트래핑
27. 정상 상태 캐리어 생성; 준제 수준
28. 광 전도 장치
29. 확산 과정
30. 운송 업체의 확산 및 드리프트 : 내장 필드
31. 확산 및 재조합; 연속성 방정식
32. 정상 상태 캐리어 주입 : 확산 길이
33. 준 페르미 수준에서의 그라디언트
34. 캐리어 농도의 온도 의존성
35. 온도와 도핑이 이동성에 미치는 영향
36. 고 필드 효과
37. 홀 효과
38. PN 접합의 제조 : 열 산화
39. PN 접합의 확산
40. 빠른 열 처리
41. 이온 임플란트
42. 화학 기상 증착 (CVD)
43. 포토 리소그래피
44. 에칭
45. 금속 화
46. 평형 조건
47. 평형 페르미 수준
48. 교차점에서의 공간 충전
49. 전진 및 역 바이어스 접합
50. 캐리어 주입
51. 역 바이어스
52. 역 바이어스 고장
53. 제너 고장
54. 눈사태 고장
55. 정류기
56. 고장 다이오드
57. 과도 및 AC 조건
58. 역 복구 과도
59. 이상적인 다이오드 모델
60. 캐리어 주입에 대한 접촉 전위의 영향
61. 다이오드 스위칭
62. PN 접합의 용량
63. 전이 영역에서의 재조합 및 생성
64. 옴 손실
65. 채집 접합부
66. 금속 반도체 접합 : Schottky 장벽
67. 현재 전송 과정
68. 열 배제 이론
69. 확산 이론
70. 열 배제-확산 이론
71. 연락처 수정
72. 터널링 전류
73. 소수 캐리어 주사
74. 미스 터널 다이오드
75. 배리어 높이 측정
76. 활성화 에너지 측정
77. 광전자 측정
78. 옴 접촉
각 주제는 더 나은 학습과 빠른 이해를 위해 다이어그램, 방정식 및 기타 형태의 그래픽 표현으로 완성됩니다.
반도체 장치는 다양한 대학의 공학 교육 과정 및 기술 학위 프로그램의 일부입니다.
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