簡要說明了電子設備，電路，二極管，晶體管和交界處
* Semiconductor Device ，電子電路由既不是好的導體也不是好的絕緣子組成的材料。
* Semiconductor Device S不過是利用半導體材料的電子特性的電子組件，例如矽，鍺和Arsenide以及有機半導體。
關鍵術語
o半導體
o二極管
o晶體管
o雙極連接晶體管
o基礎
o收藏家
o發射器
o集成電路
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應用程序中涵蓋的一些主題是：
1。Haynes-Shockley實驗
2。半導體材料
3。晶格
4。立方格
5。飛機和指示
6。鑽石格子
7。散裝晶體生長
8。單晶錠的生長
9。晶圓
10。外延生長
11。蒸氣相外觀
12。分子束外延
13。半導體中的電荷載體
14。有效質量
15。內在材料
16。外部材料
17。量子井中的電子和孔
18。費米級
19。補償和空間費用中立
20。漂移和阻力
21。光吸收
22。光致發光
23。電致發光
24。載體壽命和光電導率
25。電子和孔的直接重組
26。間接重組；陷阱
27。穩態載體生成；準Fermi級別
28。光電傳動設備
29。擴散過程
30。載體的擴散和漂移：內置字段
31。擴散和重組；連續性方程
32。穩態載體注入：擴散長度
33。準富爾米水平的梯度
34。載體濃度的溫度依賴性
35。溫度和摻雜對遷移率的影響
36。高場效應
37。大廳效應
38。PN連接的製造：熱氧化
39。PN連接的擴散
40。快速熱處理
41。離子植入
42。化學蒸氣沉積（CVD）
43。光刻
44。蝕刻
45。金屬化
46。平衡條件
47。平衡費米水平
48。在路口的空間充電
49。前向和反向偏見的連接
50。載體注入
51。反向偏置
52。反向偏差
53。澤納分解
54。雪崩故障
55。整流器
56。故障二極管
57。瞬態和交流條件
58。反向恢復瞬態
59。理想的二極管模型
60。接觸電勢對載體注入的影響
61。切換二極管
62。PN連接的電容
63。過渡區域的重組和產生
64。歐姆損失
65。分級連接
66。金屬半導體連接：Schottky壁壘
67。當前的運輸過程
68。熱發射理論
69。擴散理論
70。熱發射擴散理論
71。糾正聯繫人
72。隧道電流
73。少數族裔注入
74。米斯隧道二極管
75。屏障高度的測量
76。激活能量測量
77。光電測量
78。歐姆聯繫人
每個主題都配有圖形表示圖，方程式和其他形式的圖形表示，以更好地學習和快速理解。
半導體設備是各大學工程教育課程和技術學位課程的一部分。
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